參數(shù)資料
型號: UPA1709
廠商: NEC Corp.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 79K
代理商: UPA1709
3
μ
PA1709
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
A
- Ambient Temperature - C
d
0
20
40
60
80
100
120
140
160
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
- Ambient Temperature - C
P
T
0
20
40
60
80
100
120
140
160
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Mounted on ceramic
substrate of
1200
mm
2
0.7
mm
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
100
Mounted on ceramic
of
1200
mm
2
0.7
mm
V
DS -
Drain to Source Voltage - V
I
D
0.1
0.1
1
10
1
10
100
I
D
(pulse)
0
T
= 25 C
Single Pulse
R
DSon
LV
(V
GS
=
10
Powe DsipaionLmted
DC
m
10
ms
PW
=
1
ms
I
D
(DC)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
0.8
10
0.4
Pulsed
V
GS
=
10
V
20
4.5
V
30
50
40
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
-
Gate to Source Voltage - V
I
D
0.1
1
10
100
Pulsed
0
2
4
6
V
DS
=
10
V
-25
C
-50
C
8
T
A
=
150
C
125
C
25
C
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PDF描述
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