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參數(shù)資料
| 型號： | UPA1705 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | UPA1705 |
Data Sheet G12712EJ1V0DS00
5
μ
PA1705
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
1
0.1
0.1
0
1
10
100
0.5
Pulsed
10
0.1
100
1 000
1 000 0
1
10
100
V
DS
= 10 V
V
= 0 V
f = 1 MHz
10
100
1 000
1
10
100
V
G
-
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Diode Current - A
t
r
di/dt = 100 A/ s
V
GS
= 0
1
0.1
10
1
10
100
1.0
1.5
V
DD
= 15 V
V
GS(on)
= 10 V
R
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
5
10
15
20
10
20
30
40
2
4
6
8
0
C
oss
C
rss
V
DD
= 24 V
15 V
6 V
V
GS
V
DS
t
d(off)
t
f
t
d(on)
t
r
1 000
100
12
14
10
I
D
= 8 A
V
GS
= 0 V
C
iss
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
0
–20
0
40
80
120 140160
I
D
= 4 A
20
40
50
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
30
10
20
60
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA1705G | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
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參數(shù)描述 |
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