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參數(shù)資料
| 型號： | UPA1704 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | UPA1704 |
Data Sheet D12908EJ1V1DS00
3
μ
PA1704
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1 000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
Mounted on ceramic
substrate of 1200 mm
×
0.7 mm
Single Pulse
10
μ
100
μ
R
th(ch-A)
= 62.5
C
/W
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
|
V
=10 V
Pulsed
1
1
10
100
10
100
0.1
T
A
= 25C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
20
10
4
6
Pulsed
2
I
D
= 5.0 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
1
30
10
100
Pulsed
0
V
GS
= 4.0 V
V
GS
= 2.5 V
20
10
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
50
50
100
0
150
0
1.0
0.5
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PDF描述 |
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