參數(shù)資料
型號： UMD6N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose (dual digital transistors)
中文描述： 通用（雙數(shù)字晶體管）
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： UMD6N
EMD6 / UMD6N / IMD6A
Transistors
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
R
1
Min.
50
50
5
100
3.29
250
4.7
0.5
0.5
600
0.3
6.11
V
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
50V
V
EB
=
4V
V
CE
=
5V, I
C
=
1mA
I
C
/I
B
=
5mA/0.25mA
V
V
μ
A
μ
A
V
k
Typ. Max. Unit
Conditions
f
T
250
V
CE
=
10mA, I
E
=
5mA, f
=
100MHz
MHz
Transition frequency of the transistor
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Transition frequency
Collector-emitter saturation voltage
Input resistance
!
Packaging specifications
Package
Code
TR
T148
3000
3000
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
UMD6N
T2R
8000
EMD6
IMD6A
Type
!
Electrical characteristic curves
DTr
1
(NPN)
1k
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
V
CE
=
5V
100
μ
200
μ
500
μ
1m
2m
5m
10m 20m
50m100m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=100
C
25
C
40
C
Fig.1 DC current gain vs. collector
current
DTr
2
(PNP)
100
μ
200
μ
500
μ
1m
2m
5m
10m 20m
50m100m
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
C
C
V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Ta=100
C
25
C
40
C
l
C
/l
B
=20
Fig.2 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
V
CE
=
5V
100
μ
1m
10m
200
μ
2m
20m
500
μ
5m
50m
100m
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
40
C
C
Ta= 25
C
Fig.3 DC current gain vs. collector
current
l
C
/l
B
=20
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100
μ
1
1m
10m
200
μ
2m
20m
500
μ
5m
50m
100m
C
C
V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Ta=100
C
25
C
40
C
Fig.4 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMD9N ER 6C 6#16S PIN RECP BOX
UMF22N Power management (dual transistors)
UMF5N Power management (dual transistors)
UMF6N Power management (dual transistors)
UMH14N General purpose (dual digital transistors)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UMD6NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/PNP 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMD9N 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LEAK ABSORB PNP+NPN SM DIGITAL TRANSISTOR UMT5 / 6 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LEAK ABSORB PNP+NPN SM DIGITAL TRANSISTOR UMT5 / 6 - free partial T/R at 500.
UMD9N_10 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive)
UMD9NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/PNP 50V 70MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMEC-03 功能描述:UM MAT 3 METER EXTENSION CABLE 制造商:omron automation and safety 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*