參數(shù)資料
型號(hào)： TPCS8211
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 224K
代理商： TPCS8211
TPCS8211
2003-02-20
4
I
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– V
DS
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GS
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Drain-source voltage V
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(V)
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Drain-source voltage V
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Gate-source voltage V
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Gate-source voltage V
GS
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Drain current I
D
(A)
Drain current I
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VGS 1.4 V
1.5
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1
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Ta 25°C
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1.6
0
VGS 1.4 V
1.5
1.6
1.7
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0.8
1.2
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2.0
1
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Common source
Ta 25°C
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6
ID 12 A
0.6
Common source
Ta 25°C
Pulse test
1.5
3
1
0.1
1
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10
100
Ta 55°C
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100
Common source
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Pulse test
1
0.1
1
10
10
100
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Common source
Ta 25°C
Pulse test
2.5
2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TPCS8212_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Lithium Ion Battery Applications
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