參數(shù)資料
型號： TPC6005
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： TPC6005
TPC6005
2001-12-17
5
r
th
t
w
Safe operating area
Pulse tw (s)
Drain-source voltage VDS (V)
T
D
0.1
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
1
0.3
3
30
100
300
1000
Single pulse
Device mounted on a glass-
epoxy board (b) (Note 2b)
1
Device mounted on a glass-
epoxy board (a) (Note 2a)
10
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
100
30
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
*:
Single nonrepetitive pulse
Ta 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature
VDSS max
10 ms
*
1 ms
*
ID max (pulsed)
*
0.001
0.003
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PDF描述
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