參數(shù)資料
型號： TP2522ND
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： 220 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： DIE
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 456K
代理商： TP2522ND
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
11/12/01
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TP2520/TP2522
Typical Performance Curves
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
(
BV
DSS
Variation with Temperature
B
D
(
Transfer Characteristics
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
C
0
-10
-20
-30
-40
150
100
0
0
-2
-4
V
GS
(volts)
-6
-8
-10
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
50
40
30
20
10
0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-10
-8
-6
-4
-2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
0
50
100
150
73pF
0
-0.5
-1.0
I
D
(amperes)
-1.5
-2.5
-2.0
f = 1MHz
0.9
200pF
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
(th)
@ -1mA
50
0
R
DS(ON)
@ -10V, -0.2A
T
j
(
°
C)
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
R
D
(
T
j
(
°
C)
V
DS
= -25V
T
A
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
I
D
V
DS
= -10V
V
DS
= -40V
V
DS
(volts)
V
G
(
C
ISS
C
OSS
C
RSS
相關PDF資料
PDF描述
TP2520 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-200V，低門限2.4V，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構場效應管)
TP2522 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-220V，低門限2.4V，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構場效應管)
TP2522N8-G P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs
TP2535 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2535N3 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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TP2535N3 功能描述:MOSFET 350V 25Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2535N3-G 功能描述:MOSFET 350V 25Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2535N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2535N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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