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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TN28F010-150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 150 ns, PQCC32 |
| 封裝： | 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/33頁(yè) |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | TN28F010-150 |
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E
4.6
28F010
23
DC Characteristics
—TTL/NMOS Compatible—Extended Temperature
Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
ID
A
9
Intelligent Identifier
Current
1, 2
90
500
μA
A
9
= V
ID
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Program are
Inhibited when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
NOTES:
Refer to Section 4.4.
4.7
DC Characteristics
—CMOS Compatible—Extended Temperature Products
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Leakage Current
1
±1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or V
SS
I
LO
Output Leakage Current
1
±10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
OUT
= V
CC
or V
SS
I
CCS
V
CC
Standby Current
1
50
100
μA
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
CC
±0.2 V
I
CC1
V
CC
Active Read Current
1
10
30
mA
V
CC
= V
CC
Max, CE# = V
IL
f = 10 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
CC2
V
CC
Programming Current
1, 2
1.0
10
mA
Programming in Progress
I
CC3
V
CC
Erase Current
1, 2
5.0
30
mA
Erasure in Progress
I
CC4
V
CC
Program Verify
Current
1, 2
5.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in Progress
I
CC5
V
CC
Erase Verify Current
1, 2
5.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
I
PPS
V
PP
Leakage Current
1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
I
PP1
V
PP
Read Current, ID
Current or Standby
Current
1
90
200
μA
V
PP
> V
CC
±10
V
PP
≤
V
CC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN28F020-90 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-150 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-120 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F512-120 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| TN5C060-45 | 16 MACROCELL CMOS PLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN28F010-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-150 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 32 Pin, Plastic, PLCC |
| TN28F020-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F512-120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: |
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