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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMX32C6411GLZ |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | Anti-Static Storage Bags; External Height:5"; External Width:3"; Thickness:0.12" |
| 中文描述： | 定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 |
| 文件頁數(shù)： | 84/119頁 |
| 文件大小： | 1742K |
| 代理商： | TMX32C6411GLZ |
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SPRS196H MARCH 2002 REVISED JULY 2004
84
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 772511443
SYNCHRONOUS DRAM TIMING (CONTINUED)
ECLKOUTx
CEx
BE[3:0]
EA[12:3]
ED[31:0]
AOE/SDRAS/SOE
ARE/SDCAS/SADS/SRE
AWE/SDWE/SWE
EA13
EA[22:14]
BE1
BE2
BE3
BE4
Bank
Column
D1
D2
D3
D4
11
8
9
5
5
5
4
2
11
8
9
4
4
2
1
10
3
4
WRITE
PDT
14
14
PDTR/W
ARE/SDCAS/SADS/SRE, AWE/SDWE/SWE, and AOE/SDRAS/SOE operate as SDCAS, SDWE, and SDRAS, respectively, during SDRAM
accesses.
PDT signal is only asserted when the EDMA is in PDT mode (set the PDTD bit to 1 in the EDMA options parameter RAM). For PDT write, data
is not driven (in High-Z). The PDTWL field in the PDT control register (PDTCTL) configures the latency of the PDT signal with respect to the data
phase of a write transaction. The latency of the PDT signal for a write transaction can be programmed to 0, 1, 2, or 3 by setting PDTWL to 00,
01, 10, or 11, respectively. PDTWL equals 00 (zero latency) in Figure 28.
Figure 28. SDRAM Write Command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMP320C6411GLZ | FIXED POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSOR |
| TMP470R1B768PGE | 16/32-Bit RISC Flash Microcontroller |
| TMP47C020 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| TMP47C020G | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| TMP47C050 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMX32C6414EGLZ6E3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| TMX32C6415EGLZ5E0 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:LAPLACE, REV. 2.0, 500 MHZ, 100 MHZ EMIF - Bulk |
| TMX32C6416EGLZ5E0 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| TMX32TCI6482BZTZA2 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| TMX32TCI6616BXCYPA | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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