參數(shù)資料
型號(hào): TMS28F010B(中文)
廠商: Texas Instruments, Inc.
英文描述: Flash Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory(128K×8結(jié)構(gòu),電整體擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)
中文描述: 閃光電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(128K的× 8結(jié)構(gòu),電整體擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)
文件頁數(shù): 5/16頁
文件大小: 1173K
代理商: TMS28F010B(中文)
==99-8-30==
P&S
ooá|′μ×ó1é· YóDT1
==16-3==
P &S
oo á|′μ×ó1é· YóDT1
μ :
ot±±ooêD×μèa· 15o
P&Sí í :
http://www.p8s.com
D :
ooêD70020D
óê±à:
430079
μ°:
( 86) ( 027£87493500 87493506
( 86) ( 027) 87491166, 87493497
I
PP3
Vpp
μ′μá÷£¨úéáù2á3yú
££¨×¢êí
4
Vpp = V
PPH
30
mA
I
PP4
Vpp
μ′μá÷¨ú±à3ì
/
2á3yD£
éú££¨×¢êí
4
Vpp = V
PPH
5
mA
TTL
êèμ
Vcc = 5.5V
E = V
IH
1
mA
I
CCS
Vcc
μ′μ
á÷£¨± ó£
CMOS
êèμ
Vcc = 5.5V
E = V
CC
100
A
I
CC1
Vcc
μ′μá÷£¨óDD§á£
Vcc = 5.5V, E = V
IL
, f = 6MHz
I
OUT
= 0mA
30
mA
I
CC2
Vcc
ùμ′μá÷£¨óDD§D′£
£¨×¢êí
4
Vcc = 5.5V, E = V
IL
,
yú±à3ì
10
mA
I
CC3
Vcc
ùμ′μá÷¨éáù2á3y£
£¨×¢êí
4
Vcc = 5.5V, E = V
IL
,
yú2á3y
15
mA
I
CC4
Vcc
ùμ′μá÷£¨±à3ì
/
2á3y
D£é££¨×¢êí
4
Vcc = 5.5V, E = V
IL
, Vpp = V
PPH
£yú±à3ì
/
2á3yD£é
15
mA
V
LKO
Vcc
2á3y
/
D′¨μ1
×¢êí
4
£o·
100%
2aê£ìDêyYé1ê1ó £
2. 4 úíμμ′μ1 ó1¤×÷è· §ú£¨×èí¨· £μμèY£f=1MHz*
Vpp = V
PPH
2.5
V
2êy
2aêt
× D μ
× ′óμ
μ¥
C
I
êèμèY
V
I
= 0V
f=1MHz
6
pF
C
O
ê3μèY
V
O
= 0V
f=1MHz
12
pF
*
úù ùé2aêμèY £
2. 5 úíμμ′μ1 ó1¤×÷è· §ú£¨×èí¨· £μa 1ìD
‘28F010B-90
‘28F010B-10
‘28F010B-12
‘28F010B-15
2êy
2aêt
ì
· o
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
μ¥
t
a(A)
μ μ· êê±
t
AVQV
90
100
120
150
ns
t
a(E)
Dê1üμ· êê±
t
ELQV
90
100
120
150
ns
t
en(G)
ê3ê1ü êê±
t
GLQV
35
45
50
55
ns
t
c(R)
áüúê±
t
AVAV
90
100
120
150
ns
t
d(E)
E
±μí áμí×è1 ê3
μóùê±
t
ELQX
0
0
0
0
ns
t
d(G)
G
±μíáμí×è1ê3
μóùê±
t
GLQX
0
0
0
0
ns
t
dis(E)
D á ×è1
ê3μê±
t
EHQZ
0
45
0
55
0
55
0
55
ns
t
dis(G)
ê3 á ×è1
ê3μê±
t
GHQZ
0
30
0
30
0
35
0
35
ns
t
h(D)
′óμ ¢
E
ò
G*
áêy
YóDD§ê3μ±£3ê±
t
AXQX
0
0
0
0
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t
rec(W)
úá°D′ ′ê±
C
L
=100pF,
1
74
μáD
TTL
o£
ê è
t
r
ü
20ns
ê è
t
f
ü
20ns
t
WHGL
6
6
6
6
s
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