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參數資料
| 型號： | TIM1011-2L |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 微波功率GaAs場效應管 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | TIM1011-2L |
4
TIM1011-2L
IM3 vs. OUTPUT POWER CHARACTERISTICS
-60
-50
-40
-30
-20
-10
17
19
21
Po (dBm), Single Carrie
Po(dBm), Single Carrier
23
25
27
29
I
POWER DISSIPATION VS. CASE TEMPERATURE
0
5
10
15
20
25
0
40
80
120
160
200
℃
Tc (
)
P
f = 11.7 GHz
VDS = 9 V
IDS
1.0 A
f= 5MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| TIM1011-4UL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 15W - Trays |
| TIM1011-5L | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 30W - Trays |
| TIM1011-8L | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 60W - Trays |
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