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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F320J3C |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數(shù)： | 24/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | TE28F320J3C |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
24
Datasheet
0606_16
NOTES:
1. CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. When reading the flash array a faster t
GLQV
(R16) applies. For non-array reads, R4 applies (i.e.: Status
Register reads, query reads, or device identifier reads).
NOTE:
CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at
the first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
Figure 10. 4-Word Page Mode Read Waveform
00
01
10
11
1
2
3
4
R10
R9
R15
R10
R5
R8
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:3] [A]
A[2:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F320J3C-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3C-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3A-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F320J3C110 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F320J3C-110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3C110SL7H8 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| TE28F320J3C-115 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3C-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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