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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F256J3A-115 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數(shù)： | 25/72頁 |
| 文件大小： | 905K |
| 代理商： | TE28F256J3A-115 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
25
NOTES:
1. CE
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. In this diagram, BYTE# is asserted high.
Figure 11. 8-word Asynchronous Page Mode Read
1
2
6
8
R10
R8
R15
R10
R5
R9
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:4] [A]
A[3:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
BYTE#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE3-MUX | Ultraframer DS3/E3/DS2/E2/DS1/E1/DS0 |
| TEA1085 | Listening-in circuit for line-powered telephone sets |
| TEA1085A | Listening-in circuit for line-powered telephone sets |
| TEA1085AT | Listening-in circuit for line-powered telephone sets |
| TEA1085T | Listening-in circuit for line-powered telephone sets |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F256J3A-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3A-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3C | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3C-110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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