參數(shù)資料
型號： TC58DVM82F1FT00
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM
中文描述： 128兆位（16米x 8 BITS/8M x 16位）的CMOS NAND型E2PROM的
文件頁數(shù)： 6/34頁
文件大小： 369K
代理商： TC58DVM82F1FT00
TC58DVM72A1FT00/ TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00/ TC58DAM72F1FT00
RY
2003-01-24 6/34
Note: (1)
CE
High to Ready time depends on the pull-up resistor tied to the
(Refer to Application Note (9) toward the end of this document.)
BY
/
pin.
(2) Sequential Read is terminated when t
CEH
is greater than or equal to 100 ns. If the
RE
to
CE
delay
is less than 30 ns,
BY
/
RY
signal stays Ready.
PROGRAMMING AND ERASING CHARACTERISTICS
(Ta =0° to 70°C, V
CC
2.7 V to 3.6 V)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
NOTES
t
PROG
Programming Time

200
1000
P
s
N
Number of Programming Cycles on Same
Page


3
(1)
t
BERASE
Block Erasing Time

2
10
ms
(1): Refer to Application Note (12) toward the end of this document.
: 0 to 30 ns
o
Busy signal is not output.
A
CE
RE
t
CEH
t
100 ns
*
525
Busy
BY
/
RY
*
: V
IH
or V
IL
A
526
527
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC58FVB160-10 16M Bit (1M×16 Bit/2M×8 Bit) CMOS Flash Memory(16M位 CMOS閃速存儲器)
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TC58V16BFT 16MB(2M x8Bits)CMOS NAND Flash EEPROM(16MB CMOS 與非閃速EEPROM)
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參數(shù)描述
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