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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TC58DVM82F1FT00 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| 中文描述： | 128兆位（16米x 8 BITS/8M x 16位）的CMOS NAND型E2PROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 369K |
| 代理商： | TC58DVM82F1FT00 |
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TC58DVM72A1FT00/ TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00/ TC58DAM72F1FT00
2003-01-24 5/34
AC CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(Ta
0° to 70°C, V
CC
2.7 V to 3.6 V)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
NOTES
t
CLS
CLE Setup Time
0
ns
t
CLH
CLE Hold Time
10
ns
t
CS
CE
Setup Time
0
ns
t
CH
CE
Hold Time
10
ns
t
WP
Write Pulse Width
25
ns
t
ALS
ALE Setup Time
0
ns
t
ALH
ALE Hold Time
10
ns
t
DS
Data Setup Time
20
ns
t
DH
Data Hold Time
10
ns
t
WC
Write Cycle Time
50
ns
t
WH
WE
High Hold Time
15
ns
t
WW
WP
High to
WE
Low
100
ns
t
RR
Ready to
RE
Falling Edge
20
ns
t
RP
Read Pulse Width
35
ns
t
RC
Read Cycle Time
50
ns
t
REA
RE
Access Time (Serial Data Access)
35
ns
t
CEA
CE
Access Time (Serial Data Access,ID Read)
45
ns
t
ALEA
ALE Access Time (ID Read)
ns
t
CEH
CE
High Time for Last Address in Serial Read Cycle
Ns
(2)
t
REAID
RE
Access Time (ID Read)
35
ns
t
OH
Data Output Hold Time
10
ns
t
RHZ
RE
High to Output High Impedance
30
ns
t
CHZ
CE
High to Output High Impedance
20
ns
t
REH
RE
High Hold Time
15
ns
t
IR
Output-High-impedance-to-
RE
Falling Edge
0
ns
t
RSTO
RE
Access Time (Status Read)
35
ns
t
CSTO
CE
Access Time (Status Read)
45
ns
t
RHW
RE
High to
WE
Low
0
ns
t
WHC
WE
High to
CE
Low
30
ns
t
WHR
WE
High to
RE
Low
30
ns
t
R
Memory Cell Array to Starting Address
25
P
s
t
WB
WE
High to Busy
200
ns
t
AR2
ALE Low to
RE
Low (Read Cycle)
50
ns
t
RB
RE
Last Clock Rising Edge to Busy(in Sequential Read)
200
ns
t
CRY
CE
High to Ready(When interrupted by
CE
in Read Mode)
1+
tr(
BY
/
RY
)
P
s
(1)(2)
t
RST
Device Reset Time (Read/Program/Erase)
6/10/500
P
s
AC TEST CONDITIONS
CONDITION
PARAMETER
TC58DVxxxxx
TC58DAxxxx
Input level
2.4 V, 0.4 V
V
CCQ
-0.2 V, 0.2 V
3 ns
Input pulse rise and fall time
3 ns
Input comparison level
1.5 V, 1.5 V
0.9 V, 0.9 V
Output data comparison level
1.5 V, 1.5 V
0.9 V, 0.9 V
Output load
C
L
(100 pF) 1 TTL
C
L
(30 pF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58FVB160-10 | 16M Bit (1M×16 Bit/2M×8 Bit) CMOS Flash Memory(16M位 CMOS閃速存儲(chǔ)器) |
| TC58FVB160-12 | 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM) |
| TC58FVB160-85 | 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM) |
| TC58V16BDC | 16M Bit(2M x 8 Bit) CMOS NAND EEPROM(16M 位(2M x 8位) CMOS 與非 EEPROM) |
| TC58V16BFT | 16MB(2M x8Bits)CMOS NAND Flash EEPROM(16MB CMOS 與非閃速EEPROM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| TC58DVM92A1FT (YBEL) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58DVM92A1FT00 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC58DVM92A1FT00BBH | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58DVM92A1FTI | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:512 Mb (64M x 8) Nand, Flash Memory |
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