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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TC58DAM82A1FT00 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| 中文描述： | 128兆位（16米x 8 BITS/8M x 16位）的CMOS NAND型E2PROM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/34頁(yè) |
| 文件大小： | 369K |
| 代理商： | TC58DAM82A1FT00 |
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TC58DVM72A1FT00/ TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00/ TC58DAM72F1FT00
2003-01-24 28/34
(9)
BY
/
RY
: termination for the Ready/Busy pin (
BY
/
RY
)
A pull-up resistor needs to be used for termination because the
circuit.
BY
/
RY
buffer consists of an open drain
This data may vary from device to device.
We recommend that you use this data as a reference
when selecting a resistor value.
V
CCQ
Device
V
SS
R
BY
/
RY
C
L
t
f
Ready
V
CCQ
t
r
Busy
1.5
P
s
1.0
P
s
0.5
P
s
0
1 K
:
4 K
:
3 K
:
2 K
:
15 ns
10 ns
5 ns
t
f
t
r
R
t
r
t
f
V
CCQ
1.8 V
Ta
25°C
C
L
30 pF
Figure 21.
DIN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58DAM82F1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM72A1F | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM72A1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM72F1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM82A1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC58DAM82F1FT00 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVG02A1FT | 功能描述:IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| TC58DVG02A1FT00 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC58DVG02A1FT00BBH | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58DVG02A1FT00BBQ | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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