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參數資料
| 型號： | TBB1003B |
| 元件分類： | 接線盒 |
| 英文描述： | 10 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 866K |
| 代理商： | TBB1003B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TBB1004B | 10 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
| TBG2502M | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
| TBE1804B | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
| TBE1906B | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
| TBE2006B | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TBB1004 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Twin Build in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| TBB1004_06 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| TBB1004_11 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| TBB1004DMTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| TBB1004DMTL-H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
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