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參數(shù)資料
| 型號： | TBB1004B |
| 元件分類： | 接線盒 |
| 英文描述： | 10 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 866K |
| 代理商： | TBB1004B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TBG2502M | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
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| TBE1906B | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
| TBE2006B | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
| TBF2603B | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 DECK |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TBB1004DMTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| TBB1004DMTL-H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| TBB1005 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| TBB1005_11 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| TBB1005EMTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
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