參數(shù)資料
型號(hào): STW55NE10
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET
中文描述: ? - 100V的通道- 0.021ohm - 55A條- TO247 STripFET的功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 1/7頁(yè)
文件大小: 334K
代理商: STW55NE10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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STW55NM60N 功能描述:MOSFET N-Channel 600V Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW55NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600 V FDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW5630/JDR18BDR 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules - 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:- 顏色:- CCT(K):- 波長(zhǎng):- 配置:- 通量 @ 電流/溫度 -測(cè)試:- 電流 - 測(cè)試:- 溫度 - 測(cè)試:- 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 不同測(cè)試電流時(shí)的流明/瓦:- 電流 - 最大值:- CRI(高顯色指數(shù)):- 視角:- 特性:- 大小/尺寸:- 高度:- 發(fā)光面(LES):- 透鏡類型:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STW5630/JDR18BRD 制造商:Seoul Semiconductor 功能描述:DEV KIT - Bulk 制造商:Seoul Semiconductor 功能描述:Seoul Semiconductor STW5630/JDR18BRD Development Kits