參數(shù)資料
型號(hào): STH65N06
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 65A I(D) | TO-218
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直|第65A條(?。﹟至218
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文件大小: 326K
代理商: STH65N06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH65N06FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 37A I(D) | TO-218VAR
STH6NA80 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-218
STHI07N50 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1000; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:50uA RoHS Compliant: NA
STHI07N50FI Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount
STHI10N50 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1000; Capacitance:20pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Surface Mount
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參數(shù)描述
STH65N06FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 37A I(D) | TO-218VAR
STH6N100 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N100FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N95K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.25 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH6NA80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-218