參數(shù)資料
型號: STU26NM60I
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直|第26A條(?。﹟對220VAR
文件頁數(shù): 7/11頁
文件大小: 134K
代理商: STU26NM60I
7/11
STW26NM60, STU26NM60, STU26NM60I
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關PDF資料
PDF描述
STU5NA90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220VAR
STU6N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
STU6NA60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
STU7NA60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | TO-220VAR
STV0020 TV/Video Signal Processor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STU27 制造商:TIMEGUARD 功能描述:TIME SWITCH 7DAY/24HOUR DIGITAL
STU27N3LH5 功能描述:MOSFET N-channel 30 V 27 A DPAK IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU2LN60K3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 600V 2A IPAK
STU2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 750mA, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK(TO-251) 標準包裝:75
STU2N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube