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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STU26NM60I |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直|第26A條（?。﹟對(duì)220VAR |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | STU26NM60I |
3/11
STW26NM60, STU26NM60, STU26NM60I
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE =25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
ON/OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
3. C
oss eq.
is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80%
V
DSS
.
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
10
100
μ
A
μ
A
μ
A
V
GS
=
±
20V
±
10
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 13 A
0.125
0.135
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 13 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
20
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
2900
900
40
pF
pF
pF
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300V, I
D
= 13 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(Resistive Load see, Figure 3)
Min.
Typ.
35
22
Max.
Unit
ns
ns
Turn-on Delay Time
Rise Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 480V, I
D
= 26 A,
V
GS
= 10V
73
20
37
102
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 26 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(Inductive Load see, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
14
20
40
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
26
104
Unit
A
A
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(1)
Forward On Voltage
I
SD
= 26 A, V
GS
= 0
I
SD
= 26 A, di/dt = 100A/
μ
s
V
DD
= 60V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
560
9
32.5
ns
μ
C
A
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| STU2LN60K3 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 600V 2A IPAK |
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