參數(shù)資料
型號： STP9NM60
英文描述： N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET
中文描述： N溝道600V的0.55歐姆8.3A TO-220/DPAK/IPAK穩(wěn)壓保護MDMesh功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
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代理商： STP9NM60
3/9
STP9NM60 / STD9NM60 / STD9NM60-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
ON/OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
10
μA
μA
V
GS
= ± 20V
±5
μA
3
4
5
V
V
GS
= 10V, I
D
= 3.5 A
0.55
0.60
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 4.1 A
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
TBD
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
580
160
20
pF
pF
pF
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300 V, I
D
= 4.1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(Resistive Load see, Figure 3)
V
DD
= 480 V, I
D
= 8.3 A,
V
GS
= 10 V
Min.
Typ.
TBD
TBD
Max.
Unit
ns
ns
Turn-on Delay Time
Rise Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
22
TBD
TBD
30
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480 V, I
D
= 8.3 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(Inductive Load see, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
TBD
TBD
TBD
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
TBD
TBD
Unit
A
A
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
Forward On Voltage
I
SD
= 8.3 A, V
GS
= 0
I
SD
= 8.3 A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 100 V, T
j
= 25°C
(see test circuit, Figure 5)
TBD
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
TBD
TBD
TBD
ns
μC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 8.3 A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 100 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
TBD
TBD
TBD
ns
μC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STDELIV Resettable Fuse; Operating Voltage Max:30V; Resistance:0.05ohm; Holding Current:4A; Tripping Current:8A; Initial Resistance Min:0.01ohm; Mounting Type:Through Hole; Terminal Type:Radial Leaded; Thermistor Tolerance:+/- 5%
STDL130 STDL130|Data Sheet
STDL131 STDL131|Data Sheet
STDL150 Cartridge Fuse; Current Rating:3A; Fuse Type:Fast Acting; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STDL80 STDL80 0.5 Micron STDL80 Standard Cell Library|Data Sheet
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP9NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STPA001 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:power amplifiers moving to the green zone
STPA002 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:power amplifiers moving to the green zone
STPA003CD-48X 功能描述:Amplifier IC 4-Channel (Quad) Class AB 27-Flexiwatt (Vertical) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 類型:AB 類 輸出類型:4-通道（四路） 不同負載時的最大輸出功率 x 通道數(shù):85W x 4 @ 2 歐姆 電壓 - 電源:6 V ~ 18 V 特性:靜音，短路和熱保護，待機 安裝類型:通孔 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 供應(yīng)商器件封裝:27 Flexiwatt（垂直） 封裝/外殼:27 Flexiwatt（成型引線） 標準包裝:17
STPA003OD-4WX 功能描述:Amplifier IC 4-Channel (Quad) Class AB 25-Flexiwatt (Vertical) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 類型:AB 類 輸出類型:4-通道（四路） 不同負載時的最大輸出功率 x 通道數(shù):85W x 4 @ 2 歐姆 電壓 - 電源:6 V ~ 18 V 特性:靜音，短路和熱保護，待機 安裝類型:通孔 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 供應(yīng)商器件封裝:25 Flexiwatt（垂直） 封裝/外殼:25 Flexiwatt（成型引線） 標準包裝:17
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