參數(shù)資料
型號(hào)： STP9NM60
英文描述： N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET
中文描述： N溝道600V的0.55歐姆8.3A TO-220/DPAK/IPAK穩(wěn)壓保護(hù)MDMesh功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
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代理商： STP9NM60
STP9NM60 / STD9NM60 / STD9NM60-1
2/9
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate-source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
( )
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
j
T
stg
Storage Temperature
( ) Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
≤
7A, di/dt
≤
400
μ
A, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
GATE-SOURCE ZENER DIODE
Symbol
BV
GSO
Gate-Source Breakdown
Voltage
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be
applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and
cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the
usage of external components.
Parameter
Value
Unit
600
V
600
V
± 30
V
8.3
A
5.2
A
33.2
A
100
W
0.8
15
W/°C
V/ns
Operating Junction Temperature
-65 to 150
°C
TO-220
DPAK
IPAK
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
1.25
°C/W
°C/W
°C
62.5
100
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
Parameter
Max Value
3.5
Unit
A
TBD
mJ
Parameter
Test Conditions
Igs=± 1mA (Open Drain)
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STDELIV Resettable Fuse; Operating Voltage Max:30V; Resistance:0.05ohm; Holding Current:4A; Tripping Current:8A; Initial Resistance Min:0.01ohm; Mounting Type:Through Hole; Terminal Type:Radial Leaded; Thermistor Tolerance:+/- 5%
STDL130 STDL130|Data Sheet
STDL131 STDL131|Data Sheet
STDL150 Cartridge Fuse; Current Rating:3A; Fuse Type:Fast Acting; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STDL80 STDL80 0.5 Micron STDL80 Standard Cell Library|Data Sheet
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP9NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STPA001 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:power amplifiers moving to the green zone
STPA002 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:power amplifiers moving to the green zone
STPA003CD-48X 功能描述:Amplifier IC 4-Channel (Quad) Class AB 27-Flexiwatt (Vertical) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 類型:AB 類 輸出類型:4-通道（四路） 不同負(fù)載時(shí)的最大輸出功率 x 通道數(shù):85W x 4 @ 2 歐姆 電壓 - 電源:6 V ~ 18 V 特性:靜音，短路和熱保護(hù)，待機(jī) 安裝類型:通孔 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 供應(yīng)商器件封裝:27 Flexiwatt（垂直） 封裝/外殼:27 Flexiwatt（成型引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:17
STPA003OD-4WX 功能描述:Amplifier IC 4-Channel (Quad) Class AB 25-Flexiwatt (Vertical) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 類型:AB 類 輸出類型:4-通道（四路） 不同負(fù)載時(shí)的最大輸出功率 x 通道數(shù):85W x 4 @ 2 歐姆 電壓 - 電源:6 V ~ 18 V 特性:靜音，短路和熱保護(hù)，待機(jī) 安裝類型:通孔 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 供應(yīng)商器件封裝:25 Flexiwatt（垂直） 封裝/外殼:25 Flexiwatt（成型引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:17
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