型號(hào): | STP5N60FI |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
中文描述: | 250 的低電流運(yùn)算,低反向泄露,低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
文件頁數(shù): | 2/7頁 |
文件大小: | 316K |
代理商: | STP5N60FI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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STP5N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP5N80 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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STP5N80K5 | 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.75 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):177pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |