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參數(shù)資料
| 型號： | STP5N80FI |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 316K |
| 代理商： | STP5N80FI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP5N80XI | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP5NA90 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STPAC01 | RF DETECTOR FOR POWER AMPLIFIER CONTROL |
| STPAC01F1 | RF DETECTOR FOR POWER AMPLIFIER CONTROL |
| STPCC0112BTC3 | 32-Bit Microprocessor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP5N80K5 | 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.75 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:177pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:2,000 |
| STP5N80XI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-186VAR |
| STP5N90 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP5N90FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP5N95K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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