參數(shù)資料
型號： STGP14NC60KD
廠商： 意法半導體
英文描述： Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
中文描述： N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/D2PAK短路IGBT的額定PowerMESH
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大小： 456K
代理商： STGP14NC60KD
1/14
July 2005
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD
STGB14NC60KD
N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D
2
PAK
SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
■
LOWER ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
■
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
■
LOWER C
RES
/ C
IES
RATIO
■
SWITCHING LOSSES INCLUDE DIODE
RECOVERY ENERGY
■
VERY SOFT ULTRA FAST RECOVERY
ANTIPARALLEL DIODE
■
NEW GENERATION PRODUCTS WITH
TIGHTER PARAMETER DISTRUBUTION
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “K” identifies a family optimized for high
frequency motor control applications with short cir-
cuit withstand capability.
APPLICATIONS
■
HIGH FREQUENCY INVERTERS
■
SMPS and PFC IN BOTH HARD SWITCH AND
RESONANT TOPOLOGIES
■
MOTOR DRIVERS
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Max)
@25°C
I
C
(#)
@100°C
STGB14NC60KD
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
600 V
600 V
600 V
< 2.5 V
< 2.5 V
< 2.5 V
14 A
7 A
14 A
TO-220
1
2
3
1
2
3
1
3
TO-220FP
D
2
PAK
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGB14NC60KDT4
GB14NC60KD
D
2
PAK
TAPE & REEL
STGF14NC60KD
GF14NC60KD
TO-220FP
TUBE
STGP14NC60KD
GP14NC60KD
TO-220
TUBE
Rev.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60KD N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGW12NB60HD N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW12NB60H N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP15H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
STGP15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:136W 開關(guān)能量:90μJ（開），450μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:45nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:24ns/93ns 測試條件:400V，15A，12 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:142ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
STGP18N40LZ 功能描述:IGBT 晶體管 400V INTRN CLMP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP19NC60H 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP19NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*