- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383841 > STF8045AF Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STF8045AF |
| 英文描述： | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管電源模塊|達(dá)林頓| 450V五（巴西）總裁| 100號(hào)A一（c） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 357K |
| 代理商： | STF8045AF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STF8045AV | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| STF8045DF | L50S500 / VERY FAST-ACTING SEMICONDUCTOR FUSE / NON-STANDARD RoHS Compliant: No |
| STF8045DV | L60030C-1C / UL CLASS CC FUSE BLOCK WITH BOX LUG TERMINAL / STANDARD RoHS Compliant: Yes |
| STGB7NB60KT4 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:35pF RoHS Compliant: Yes |
| STGD3NB60HD | N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STF8045AV | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 100A I(C) |
| STF8045DF | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 100A I(C) |
| STF8045DV | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 100A I(C) |
| STF80N10F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STF817 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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