參數(shù)資料
型號(hào)： ST901T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON
中文描述： 高壓點(diǎn)火線圈驅(qū)動(dòng)達(dá)林頓NPN電源
文件頁數(shù)： 37/199頁
文件大?。?/td> 2813K
代理商： ST901T
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ST90158 - REGISTER AND MEMORY MAP
3 REGISTER AND MEMORY MAP
3.1 MEMORY CONFIGURATION
The Program memory space of the ST90135/158,
0/24/32/48/64/K bytes of directly addressable on-
chip memory, is fully available to the user.
The first 256 memory locations from address 0 to
FFh hold the Reset Vector, the Top-Level (Pseudo
Non-Maskable) interrupt, the Divide by Zero Trap
Routine vector and, optionally, the interrupt vector
table for use with the on-chip peripherals and the
external interrupt sources. Apart from this case no
other part of the Program memory has a predeter-
mined function except segment 21h which is re-
served for use by STMicroelectronics.
3.2 EPROM PROGRAMMING
The 65536 bytes of EPROM memory of the
ST90E158 may be programmed by using the
EPROM Programming Boards (EPB) available
from STMicroelectronics or gang programmers
available from third party.
EPROM Erasing
The EPROM of the windowed package of the
ST90E158 may be erased by exposure to Ultra-Vi-
olet light.
The erasure characteristic of the ST90E158 is
such that erasure begins when the memory is ex-
posed to light with a wave lengths shorter than ap-
proximately 4000. It should be noted that sunlight
and some types of fluorescent lamps have wave-
lengths in the range 3000-4000. It is thus recom-
mended that the window of the ST90E158 packag-
es be covered by an opaque label to prevent unin-
tentional erasure problems when testing the appli-
cation in such an environment.
The recommended erasure procedure of the
EPROM is the exposure to short wave ultraviolet
light which have a wave-length 2537. The inte-
grated dose (i.e. U.V. intensity x exposure time) for
erasure should be a minimum of 15W-sec/cm2.
The erasure time with this dosage is approximate-
ly 30 minutes using an ultraviolet lamp with
12000mW/cm2 power rating. The ST90E158
should be placed within 2.5cm (1 inch) of the lamp
tubes during erasure.
Table 5. First 6 Bytes of Program Space
0
1
2
3
4
5
Address high of Power on Reset routine
Address low of Power on Reset routine
Address high of Divide by zero trap Subroutine
Address low of Divide by zero trap Subroutine
Address high of Top Level Interrupt routine
Address low of Top Level Interrupt routine
9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST9291J7B1 Microcontroller
ST9291N2B1 Microcontroller
ST9291N3B1 Microcontroller
ST9291N4B1 Microcontroller
ST9291N5B1 Microcontroller
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參數(shù)描述
ST901T_05 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER TRANSISTOR
ST901TFP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ST9020B1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8-Bit Microcontroller
ST9020B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8-Bit Microcontroller
ST9027 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16K PROM / 256 RAM HCMOS MCUS
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