參數(shù)資料
型號： SST55LD040M-133-C-BZJE
元件分類： 存儲(chǔ)控制器/管理單元
英文描述： IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA145
封裝： 12 X 12 MM, 1.07 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, TFBGA-145
文件頁數(shù)： 2/39頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： SST55LD040M-133-C-BZJE
10
Advance Information
NAND Controller
SST55LD040M
2010 Silicon Storage Technology, Inc.
S71408-01-000
04/10
CAPACITY SPECIFICATION
Table 2 shows the default capacity. To change the default settings, update the drive ID table (see Table 7). If the
total number of bytes is less than the default, the remaining space could be used as spares to increase the flash
drive endurance. When the total flash drive capacity exceeds the total default number of bytes, the flash drive
endurance is reduced.The SST55LD040M NAND Controller can support up to 256 GByte.
Functional Specifications
Table 3 shows the performance of the SST55LD040M NAND Controller.
TABLE
2: Default ATA Flash Drive Settings
Capacity
Total Bytes
Cylinders1
1. Cylinders, Heads, and Sectors can be re-configured from the default settings during the manufacturing process.
Heads1
Sectors1
Max LBA
1 GB
914,006,016
1771
16
63
1,785,168
2 GB
1,828,528,128
3543
16
63
3,571,344
4 GB
3,657,056,256
7086
16
63
7,142,688
8 GB
7,012,196,352
13587
16
63
13,695,696
16 GB
15,013,748,736
16383
16
63
29,323,728
32 GB
30,016,659,456
16383
16
63
58,626,288
64 GB
60,022,480,896
16383
16
63
117,231,408
128 GB
120,034,123,776
16383
16
63
234,441,648
256 GB
240,057,409,536
16383
16
63
468,826,128
512 GB
480,103,981,056
16383
16
63
937,703,088
T2.5 1408
TABLE
3: Functional Specification of SST55LD040M
NAND Type
Clock Source
Sustained Read
Sustained Write
MLC NAND
External
Up to 105 MByte/sec
Up to 73 MByte/sec
Internal
Up to 92 MByte/sec
Up to 73 MByte/sec
SLC NAND
External
Up to 109 MByte/sec
Internal
Up to 92 MByte/sec
Up to 109 MByte/sec
T3.5 1408
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST55VD020-60-C-MVWE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA85
SST55VD020-60-I-TQWE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100
SST55VD020-60-C-MVWE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA85
SST55VD020-60-I-TQWE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100
SST85LD0512-60-RI-LBTE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST55VD020-60-C-MVWE 功能描述:閃存 ATA Media 60MHz 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST55VD020-60-C-TQWE 功能描述:閃存 ATA Media 60MHz 2.7V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST55VD020-60-I-MVWE 功能描述:總線收發(fā)器 ATA Media 60MHz 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:74VCX 每芯片的通道數(shù)量:16 輸入電平:CMOS 輸出電平:CMOS 輸出類型:3-State 高電平輸出電流:- 24 mA 低電平輸出電流:24 mA 傳播延遲時(shí)間:6.2 ns 電源電壓-最大:2.7 V, 3.6 V 電源電壓-最小:1.65 V, 2.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-48 封裝:Reel
SST55VD020-60-I-TQWE 功能描述:閃存 ATA Media 60MHz 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST55VD020-60-I-TQWE-TM024 功能描述:閃存 ATA Media 60MHz 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*