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參數(shù)資料
型號(hào)： SI3225-G-GQ
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù)： 91/112頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PROSLIC/CODEC DUAL 64TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
系列： ProSLIC®
功能： 用戶線路接口概念（SLIC），CODEC
接口： GCI，PCM，SPI
電路數(shù)： 2
電源電壓： 3.3V，5V
電流 - 電源： 65mA
功率（瓦特）： 941mW
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 64-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 64-TQFP（10x10）
包裝： 托盤(pán)
包括： 電池切換，BORSCHT 功能，DTMF 生成和解碼，F(xiàn)SK 音調(diào)生成，調(diào)制解調(diào)器和傳真音調(diào)檢測(cè)
Si3220/25 Si3200/02
8
Rev. 1.3
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Chipset Power
Consumption
PSLEEP
Sleep mode, RESET = 0,
VBAT = –70 V
—8—
mW
POPEN
Open (high-impedance), VBAT =–70 V
—
69
—
mW
PSTBY
Active on-hook standby, VBAT = –70 V
—
89
—
mW
PACTIVE
3
Forward/reverse active off-hook,
ABIAS = 4 mA, VBAT = –24 V
—
267
—
mW
POHT
Forward/reverse OHT, OBIAS = 4 mA,
VBAT = –70 V
—
757
—
mW
PRING
Ringing, VRING =45vrms,
VBAT = –70 V, 1 REN load
—
541
—
mW
Table 3. 3.3 V Power Supply Characteristics1 (Continued)
(VDD, VDD1 – VDD4 = 3.3 V, TA = 0 to 70 °C for K/F-Grade, –40 to 85 °C for B/G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Notes:
1. All specifications are for a single channel based on measurements with both channels in the same operating state.
2. See "3.14.4. Ringing Power Considerations" on page 54 for current and power consumption under other operating
conditions.
3. Power consumption does not include additional power required for dc loop feed. Total system power consumption must
include an additional (VDD + |VBAT|) x ILOOP term.
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PDF描述
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