參數(shù)資料
型號(hào)： SGW20N60RUF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 568K
代理商： SGW20N60RUF
2000 Fairchild Semiconductor International
SGW20N60RUF Rev. A
S
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
10
15
20
25
30
35
40
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
1
10
100
1000
1
10
100
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50
100
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
Zthjc + T
C
0
10
20
30
40
50
60
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC
= 100 V
Common Emitter
R
L
= 15
T
C
= 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
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