參數(shù)資料
型號(hào)： SGW20N60RUF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 568K
代理商： SGW20N60RUF
2000 Fairchild Semiconductor International
SGW20N60RUF Rev. A
S
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
10
20
30
40
50
60
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
0
10
20
30
40
50
60
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
20A
40A
30A
I
C
= 10A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
30A
20A
I
C
= 10A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
30A
20A
I
C
= 10A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
24
28
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
℃
Power Dissipation = 32W
V
CC
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
L
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SGW20N60XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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SGW23N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/ 12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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