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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71PL064J80 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品，閃存和RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 160/196頁(yè) |
| 文件大小： | 5729K |
| 代理商： | S71PL064J80 |
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160
SRAM
SRAM_Type01_02A0 June 15, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Data Retention Characteristics (4M Version G)
Notes:
1. CS1 controlled:CS1#
≥
V
CC
-0.2V. CS2 controlled: CS2
≤
0.2V.
Data Retention Characteristics (8M Version C)
Notes:
1. CS1 controlled:CS1#
≥
V
CC
-0.2V. CS2 controlled: CS2
≤
0.2V.
Data Retention Characteristics (8M Version D)
Notes:
1. CS1 controlled:CS1#
≥
V
CC
-0.2V. CS2 controlled: CS2
≤
0.2V.
Timing Diagrams
Item
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
V
CC
for data retention
V
DR
CS1#
≥
V
CC
-0.2V (Note 1), V
IN
≥
0V. BYTE# = V
SS
or V
CC
1.5
-
3.3
V
Data retention current
I
DR
V
CC
=1.5V, CS1#
≥
V
CC
-0.2V (Note 1), V
IN
≥
0V
-
-
3
μ
A
Data retention set-up time
t
SDR
See data retention waveform
0
-
-
ns
Recovery time
t
RDR
t
RC
-
-
Item
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
V
CC
for data retention
V
DR
CS1#
≥
V
CC
-0.2V (Note 1). BYTE# = V
SS
or V
CC
1.5
-
3.3
V
Data retention current
I
DR
V
CC
=3.0V, CS1#
≥
V
CC
-0.2V (Note 1)
-
-
15
μ
A
Data retention set-up time
t
SDR
See data retention waveform
0
-
-
ns
Recovery time
t
RDR
t
RC
-
-
Item
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
V
CC
for data retention
V
DR
CS1#
≥
V
CC
-0.2V (Note 1), BYTE# = V
SS
or V
CC
1.5
-
3.3
V
Data retention current
I
DR
V
CC
=3.0V, CS1#
≥
V
CC
-0.2V (Note 1)
-
-
TBD
μ
A
Data retention set-up time
t
SDR
See data retention waveform
0
-
-
ns
Recovery time
t
RDR
t
RC
-
-
Figure 80. Timing Waveform of Read Cycle(1) (Address Controlled, CS#1=OE#=V
IL
, CS2=WE#=V
IH
, UB#
and/or LB#=V
IL
)
t
AA
t
RC
t
OH
Address
Data Out
Previous Data Valid
Data Valid
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