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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL064J80-07 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品，閃存和RAM |
| 文件頁數(shù)： | 122/196頁 |
| 文件大小： | 5729K |
| 代理商： | S71PL064J80-07 |
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122
pSRAM Type 4
pSRAM_Type04_18A0 August 30, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Notes:
1. High-Z and Low-Z parameters are characterized and are not 100% tested.
2. The internal write time of the memory is defined by the overlap of WE#, CE#1 = V
IL
, CE2 = V
IH
, B
HE
and/or B
LE
=V
IL
. All
signals must be Active to initiate a write and any of these signals can terminate a write by going Inactive. The data input set-
up and hold timing should be referenced to the edge of the signal that terminates write.
3. Data I/O is high impedance if OE#
≥
V
IH
.
4. If Chip Enable goes Inactive simultaneously with WE# = High, the output remains in a high-impedance state.
5. During the Don’t Care period in the Data I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
Figure 47. Write Cycle 2 (CE#1 or CE2 Controlled)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZOE
ADDRESS
CE
2
DATA I/O
DON’T CARE
t
BW
t
SA
VALID DATA
CE#1
WE#
BHE#/BLE#
OE#
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PDF描述 |
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