參數(shù)資料
型號: S71PL032J40-07
廠商: Spansion Inc.
英文描述: STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
中文描述: 堆疊式多芯片產(chǎn)品,閃存和RAM
文件頁數(shù): 138/196頁
文件大?。?/td> 5729K
代理商: S71PL032J40-07
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁當前第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁
138
pSRAM Type 7
pSRAM_Type07_13_A1 November 2, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
DC Characteristics
(Under Recommended Conditions Unless Otherwise Noted)
Notes:
1. All voltages are referenced to V
SS
.
2. DC Characteristics are measured after following POWER-UP timing.
3. I
OUT
depends on the output load conditions.
Parameter
Symbol
Test Conditions
16M
32M
64M
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Input Leakage
Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
DD
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= V
SS
to V
DD
, Output Disable
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
μ
A
Output High
Voltage Level
V
OH
V
DD
= V
DD
(min), I
OH
= –0.5mA
2.2
2.4
2.4
V
Output Low
Voltage Level
V
OL
I
OL
= 1mA
0.4
0.4
0.4
V
V
DD
Power
Down Current
I
DDPS
V
DD
= V
DD
max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
,
CE2
0.2 V
SLEEP
10
10
10
μ
A
I
DDP4
4M Partial
N/A
40
N/A
μ
A
I
DDP8
8M Partial
N/A
50
80
μ
A
I
DDP16
16M Partial
N/A
N/A
100
μ
A
V
DD
Standby
Current
I
DDS
V
DD
= V
DD
max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CE1 = CE2 = V
IH
1
1.5
1.5
mA
I
DDS1
V
DD
= V
DD
max.,
V
IN
0.2V or V
IN
V
DD
– 0.2V,
CE1 = CE2
V
DD
– 0.2V
TA<
+
85
°
C
100
80
170
μ
A
TA<
+
40
°
C
90
μ
A
V
DD
Active Current
I
DDA1
V
DD
= V
DD
max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
,
CE1 = V
IL
and CE2= V
IH
,
I
OUT
=0mA
t
RC
/ t
WC
= min.
20
30
40
mA
I
DDA2
t
RC
/ t
WC
= 1
μ
s
3
3
5
mA
V
DD
Page
Read Current
I
DDA3
V
DD
= V
DD
max., V
IN
= V
IH
or V
IL
,
CE1 = V
IL
and CE2= V
IH
,
I
OUT
=0mA, t
PRC
= min.
N/A
10
10
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S71PL032J40-0K STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
S71PL032J80 STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
S71PL032J80-07 STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
S71PL032J80-0P STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
S71PL032JA0 STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S71PL032J40-0K 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
S71PL032J40BAW0Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J40BAW0Z2 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J40BAW0Z3 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J40BAW9Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs