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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL032J40-07 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品，閃存和RAM |
| 文件頁數(shù)： | 106/196頁 |
| 文件大?。?/td> | 5729K |
| 代理商： | S71PL032J40-07 |
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106
Type 2 pSRAM
pSRAM_Type02_15A0 May 3, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
1. 16Mb: A2 ~ A19, 32Mb: A2 ~ A20, 64Mb: A2 ~ A21.
t
HZ
and t
OHZ
are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to
output voltage levels.
At any given temperature and voltage condition, t
HZ
(Max.) is less than t
LZ
(Min.) both for a given device and from device
to device interconnection.
t
OE
(max) is met only when OE# becomes enabled after t
AA
(max).
If invalid address signals shorter than min. t
RC
are continuously repeated for over 4μs, the device needs a normal read
timing (t
RC
) or needs to sustain standby state for min. t
RC
at least once in every 4μs.
Write Timings
Figure 29. Write Cycle #1 (WE# Controlled)
Figure 30. Write Cycle #2 (CS1# Controlled)
Address
CS1#
Data Undefined
UB#, LB#
WE#
Data in
Data out
t
WC
t
CW
t
WR
t
AW
t
BW
t
WP
t
AS
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
High-Z
High-Z
Data Valid
CS2
Address
Data Valid
UB#, LB#
WE#
Data in
Data out
High-Z
t
WC
t
CW
t
AW
t
BW
t
WP
t
DH
t
DW
t
WR
t
AS
CS1#
CS2
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PDF描述 |
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