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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128M90FDIR13 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 123/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL128M90FDIR13 |
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
123
P r e l i m i n a r y
Test Conditions
Key to Switching Waveforms
Figure 12. Input Waveforms and
Measurement Levels
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 11. Test Setup
Table 34. Test Specifications
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Test Condition
All Speeds
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0 or V
CC
V
Input timing measurement
reference levels (See Note)
0.5 V
CC
V
Output timing measurement
reference levels
0.5 V
CC
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
VCC
0.0 V
Output
Measurement Level
Input
0.5 VCC
0.5 VCC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128M90FDIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90FDIR22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S29GL128M90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
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