參數(shù)資料
型號： S29GL064M90FAIR23
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): 250; ID (A): 65; Pch : 150; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.029; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 4900; toff (µs) typ: 0.22; Package: TO-3P
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, FORTIFIED, BGA-64
文件頁數(shù)： 126/160頁
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL064M90FAIR23
126
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Figure 13. Read Operation Timings
* Figure shows device in word mode. Addresses are A1–A-1 for byte mode.
Figure 14. Page Read Timings
t
OH
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
A23
-
A2
CE#
OE#
A1
-
A0*
Data Bus
Same Page
Aa
Ab
Ac
Ad
Qa
Qb
Qc
Qd
t
ACC
t
PACC
t
PACC
t
PACC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064M90FAIR30 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FAIR32 MOSFET, Switching; VDSS (V): 250; ID (A): 12; Pch : 35; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.13; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1300; toff (µs) typ: 0.08; Package: TO-220FN
S29GL064M90FAIR33 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR00 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
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參數(shù)描述
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S29GL064M90FFIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR00 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
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