- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385801 > S29GL064M90BCIR13 (Spansion Inc.) MOSFET, Switching; VDSS (V): 150; ID (A): 70; Pch : -; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.022; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 5100; toff (µs) typ: -; Package: TO-3P PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064M90BCIR13 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MOSFET, Switching; VDSS (V): 150; ID (A): 70; Pch : -; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.022; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 5100; toff (µs) typ: -; Package: TO-3P |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 95/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL064M90BCIR13 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁當(dāng)前第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
95
P r e l i m i n a r y
Figure 2. In-System Sector Group
Protect/Unprotect Algorithms
Sector Group Protect:
Write 60h to sector
group address with
A6–A0 = 0xx0010
Set up sector
group address
Wait 150 μs
Verify Sector Group
Protect: Write 40h
to sector group
address with
A6–A0 = 0xx0010
Read from
sector group address
with A6–A0
= 0xx0010
START
PLSCNT = 1
RESET# = V
ID
Wait 1
μ
s
First Write
Cycle = 60h
Data = 01h
Remove V
from RESET#
Write reset
command
Sector Group
Protect complete
Yes
Yes
No
PLSCNT
= 25
Yes
Device failed
Increment
PLSCNT
Temporary Sector
Group Unprotect
Mode
No
Sector Group
Unprotect:
Write 60h to sector
group address with
A6–A0 = 1xx0010
Set up first sector
group address
Wait 15 ms
Verify Sector Group
Unprotect: Write
40h to sector group
address with
A6–A0 = 1xx0010
Read from
sector group
address with
A6–A0 = 1xx0010
START
PLSCNT = 1
RESET# = V
ID
Wait 1
μ
s
Data = 00h
Last sector
group
verified
Remove V
from RESET#
Write reset
command
Sector Group
Unprotect complete
Yes
No
PLSCNT
= 1000
Yes
Device failed
Increment
PLSCNT
Temporary Sector
Group Unprotect
Mode
No
All sector
groups
protected
Yes
Protect all sector
groups:
The indicated
portion of the sector
group protect algorithm
must be performed for all
unprotected sector
groups prior to issuing
the first sector group
unprotect address
Set up
next sector group
address
No
Yes
No
Yes
No
No
Yes
No
Sector Group
Protect
Algorithm
Sector Group
Unprotect
Algorithm
First Write
Cycle = 60h
Protect
another
sector group
Reset
PLSCNT = 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064M90BCIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BCIR22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BCIR23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BCIR30 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BCIR32 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064M90FAIR40 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL064M90FFIR2 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL064M90TAIR00 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TAIR2 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL064M90TAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。