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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064M90BCIR13 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MOSFET, Switching; VDSS (V): 150; ID (A): 70; Pch : -; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.022; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 5100; toff (µs) typ: -; Package: TO-3P |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 158/160頁 |
| 文件大小： | 2142K |
| 代理商： | S29GL064M90BCIR13 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁當前第158頁第159頁第160頁
158
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
Revision Summary
Revision A (January 29, 2004)
Initial Release.
Revision A+1 (February 23, 2004)
Connection Diagrams
Removed 80-ball Fine-pitch BGA pinout.
Ordering Information
Added additional packing type.
Removed frame description from package material set.
Updated valid combinations to reflect the addition of new package type.
Added marking descriptions to all valid combination tables.
Word Program Command Sequence and Unlock Bypass Command
Sequence
Added these sections.
Figure 3, “Write Buffer Programming Operation“, Figure 4, “Program
Operation“
Updated figure.
Table 31, “Command Definitions (x16 Mode, BYTE# = V
IH
),”
Updated table.
Added note 19.
Table 32, “Command Definitions (x8 Mode, BYTE# = V
IL
),”
Updated table.
Added note 17.
Figure 7, “Data# Polling Algorithm“
Updated figure.
Erase and Program Operations and Alternate CE# Controlled Erase and
Program Operations
Updated T
WHWHI
description
Added Note 4.
Figure 16, “Program Operation Timings“, Figure 18, “Chip/Sector Erase
Operation Timings“, Figure 20, “Toggle Bit Timings (During Embedded
Algorithms)“, Figure 24, “Alternate CE# Controlled Write (Erase/
Program) Operation Timings“
Updated figure.
Physical Dimensions
Removed BGA-63P-M02 and BGA-80P-M01
Added the TS040 package
Revision A+2 (February 25, 2004)
Connection Diagrams
Removed the 40-pin reverse TSOP diagram.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064M90BCIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
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| S29GL064M90BCIR23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BCIR30 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
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參數(shù)描述 |
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| S29GL064M90TAIR2 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL064M90TAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
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