參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL064M90BCIR10
廠(chǎng)商： Spansion Inc.
英文描述： 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
中文描述： 3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit
文件頁(yè)數(shù)： 101/160頁(yè)
文件大小： 2142K
代理商： S29GL064M90BCIR10
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
101
P r e l i m i n a r y
Table 30. Primary Vendor-Specific Extended Query
Command Definitions
Writing specific address and data commands or sequences into the command
register initiates device operations. Table
31
and Table
32
define the valid register
command sequences.
Writing incorrect address and data values or writing them
in the improper sequence may place the device in an unknown state.
A reset com-
mand is then required to return the device to reading array data.
Addresses
(x16)
Addresses
(x8)
Data
Description
40h
41h
42h
80h
82h
84h
0050h
0052h
0049h
Query-unique ASCII string “PRI”
43h
86h
0031h
Major version number, ASCII
44h
88h
0033h
Minor version number, ASCII
45h
8Ah
000xh
Address Sensitive Unlock (Bits 1-0)
0 = Required, 1 = Not Required
Process Technology (Bits 7-2) 0010b = 0.23
μ
m MirrorBit
0009h = x8-only bus devices
0008h = all other devices
46h
8Ch
0002h
Erase Suspend
0 = Not Supported, 1 = To Read Only, 2 = To Read & Write
47h
8Eh
0001h
Sector Protect
0 = Not Supported, X = Number of sectors in per group
48h
90h
0000h
Sector Temporary Unprotect
00 = Not Supported, 01 = Supported
49h
92h
0004h
Sector Protect/Unprotect scheme
0004h = Standard Mode (Refer to Text)
4Ah
94h
0000h
Simultaneous Operation
00 = Not Supported, X = Number of Sectors in Bank
4Bh
96h
0000h
Burst Mode Type
00 = Not Supported, 01 = Supported
4Ch
98h
0001h
Page Mode Type
00 = Not Supported, 01 = 4 Word Page, 02 = 8 Word Page
4Dh
9Ah
00B5h
ACC (Acceleration) Supply Minimum
00h = Not Supported, D7-D4: Volt, D3-D0: 100 mV
4Eh
9Ch
00C5h
ACC (Acceleration) Supply Maximum
00h = Not Supported, D7-D4: Volt, D3-D0: 100 mV
4Fh
9Eh
00xxh
Top/Bottom Boot Sector Flag
00h = Uniform Device without WP# protect, 02h = Bottom Boot
Device, 03h = Top Boot Device, 04h = Uniform sectors bottom WP#
protect, 05h = Uniform sectors top WP# protect
50h
A0h
0001h
Program Suspend
00h = Not Supported, 01h = Supported
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064M90BCIR12 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BCIR13 MOSFET, Switching; VDSS (V): 150; ID (A): 70; Pch : -; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.022; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 5100; toff (µs) typ: -; Package: TO-3P
S29GL064M90BCIR20 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BCIR22 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BCIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
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參數(shù)描述
S29GL064M90FAIR40 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL064M90FFIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR00 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
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