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STW58N60DM2AG

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STW58N60DM2AG
    STW58N60DM2AG

    STW58N60DM2AG

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話(huà):0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO247

  • 22+

  • -
  • 每一片都來(lái)自原廠(chǎng),正品保證

  • STW58N60DM2AG
    STW58N60DM2AG

    STW58N60DM2AG

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話(huà):135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9785

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STW58N60DM2AG
    STW58N60DM2AG

    STW58N60DM2AG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-247

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • STW58N60DM2AG
    STW58N60DM2AG

    STW58N60DM2AG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話(huà):1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6008

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-247-3

  • 22+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票

  • STW58N60DM2AG
    STW58N60DM2AG

    STW58N60DM2AG

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話(huà):0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • STMicroelectronics

  • MOSFET N-CH 600V 50A

  • 22+

  • -
  • STW58N60DM2AG
    STW58N60DM2AG

    STW58N60DM2AG

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話(huà):155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
STW58N60DM2AG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 50A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • 汽車(chē)級(jí),AEC-Q101,MDmesh?
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 50A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 60 毫歐 @ 25A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 90nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 4100pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 360W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-247
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
STW58N60DM2AG 技術(shù)參數(shù)
  • STW57N65M5-4 功能描述:MOSFET N CH 650V 42A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):63 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):98nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4200pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):63 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):98nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4200pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56NM60N 功能描述:MOSFET N CH 600V 45A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4800pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N65M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):93nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):93nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20 STW75NF20 STW75NF30 STW77N65M5 STW78N65M5 STW7N105K5
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