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STW6N90K5

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STW6N90K5
    STW6N90K5

    STW6N90K5

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO247

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • STW6N90K5
    STW6N90K5

    STW6N90K5

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6005

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-247-3

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
STW6N90K5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? K5
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 6A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 100μA
  • Vgs（最大值）
  • ±30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 110W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 1.1 歐姆 @ 3A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-247
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
STW6N90K5 技術(shù)參數(shù)
  • STW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW69N65M5-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW68N60M6 功能描述:N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW65N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 46A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3230pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW75NF30 STW77N65M5 STW78N65M5 STW7N105K5 STW7N90K5 STW7N95K3 STW7NK90Z STW80H150C STW80NE06-10 STW80NF06 STW80NF55-08 STW81100AT-1 STW81100ATR-1 STW81101AT STW81101ATR STW81102AT STW81103AT STW81200T
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免責(zé)聲明：以上所展示的STW6N90K5信息由會(huì)員自行提供，STW6N90K5內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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