STW8Q14BE-T0,T5,U0,U7-ET-PCK

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STW8Q14BE-T0,T5,U0,U7-ET-PCK
現(xiàn)貨
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000000
Seoul Semiconductor Inc
18+
-
★★華南優(yōu)質(zhì)供應商★★

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： STW8Q14BE-T0-HT STW8Q14BE-T0U0-HB STW8Q14BE-T0U7-FB STW8Q14BE-T0U7-FT STW8Q14BE-T0V5-GA STW8Q14BE-T5-CT STW8Q14BE-T5-DB STW8Q14BE-T5-DT STW8Q14BE-T5-EB

STW8Q14BE-T0,T5,U0,U7-ET-PCK PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STW8Q14BE-T0,T5,U0,U7-ET-PCK 技術參數(shù)

STW8Q14BE-S5T0-HA 功能描述:LED Lighting Acrich White, Warm 2700K (2600K ~ 2900K) 3.2V 100mA 120° 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:Acrich 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 顏色:暖白色 CCT（K）:2700K（2600K ~ 2900K） 85°C 時通量，電流 - 測試:- 25°C 時通量，電流 - 測試:31 lm（30 lm ~ 31 lm）電流 - 測試:100mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:3.2V 不同測試電流時的流明/瓦:97 lm/W CRI（高顯色指數(shù)）:80 電流 - 最大值:160mA 視角:120° 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線裸焊盤封裝熱阻:18°C/W 標準包裝:1 STW8Q14BE-S5-GT 功能描述:LED Lighting Acrich White, Warm 3000K (2900K ~ 3200K) 3.2V 100mA 120° 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:Acrich 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期顏色:暖白色 CCT（K）:3000K（2900K ~ 3200K） 85°C 時通量，電流 - 測試:- 25°C 時通量，電流 - 測試:30 lm（標準）電流 - 測試:100mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:3.2V 不同測試電流時的流明/瓦:94 lm/W CRI（高顯色指數(shù)）:80 電流 - 最大值:160mA 視角:120° 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線裸焊盤封裝熱阻:18°C/W 標準包裝:1 STW8NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1320pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW8NB100 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 歐姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW8N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247-3 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 STW8Q14BE-T5U0-FA STW8Q14BE-T5U0-GA STW8Q14BE-T5V5-CB STW8Q14BE-U0D0A1 STW8Q14BE-U0D0Z3 STW8Q14BE-U0D1Z2 STW8Q14BE-U0D1Z3 STW8Q14BE-U0D2A1 STW8Q14BE-U0D2Z2 STW8Q14BE-U0D2Z3 STW8Q14BE-U0D3A1 STW8Q14BE-U0D3Z2 STW8Q14BE-U0D3Z3 STW8Q14BE-U0D4A1 STW8Q14BE-U0D4Z2 STW8Q14BE-U0D4Z3 STW8Q14BE-U0D5A1 STW8Q14BE-U0D5Z2