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STW56NM60N

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
STW56NM60N PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 600V 0.05 Ohm 45A MDmesh II FET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STW56NM60N 技術(shù)參數(shù)
  • STW56N65M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):93nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):93nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N65DM2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):48A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):88nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N60M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):52A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):91nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):52A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):91nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20 STW75NF20 STW75NF30
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