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STL11N6F7

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STL11N6F7
    STL11N6F7

    STL11N6F7

    優(yōu)勢
  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 20

  • ST

  • 主營優(yōu)勢

  • 1533

  • -

  • ST全系列接受訂貨

  • STL11N6F7
    STL11N6F7

    STL11N6F7

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN33

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STL11N6F7
    STL11N6F7

    STL11N6F7

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6007

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • PowerFLAT-3.3x3.3-8

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
STL11N6F7 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 11A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 12 毫歐 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 17nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 1035pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • 48W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?（3.3x3.3）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL11N6F7 技術(shù)參數(shù)
  • STL11N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:530 毫歐 @ 4.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:644pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFLAT?（5x5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL11N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1570pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL11N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 24V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL115N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F7 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:107A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:72.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:136W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 53A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2 STL12N65M5 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2 STL13N60M2 STL13N65M2 STL13NM60N STL140N4F7AG STL140N4LLF5
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