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STL13N60DM2

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STL13N60DM2
    STL13N60DM2

    STL13N60DM2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • PowerFLAT-5x6-HV-8

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票

  • STL13N60DM2
    STL13N60DM2

    STL13N60DM2

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 5000

  • ST

  • SOP

  • 20+

  • -

  • 公司全新原裝正品現(xiàn)貨

  • STL13N60DM2
    STL13N60DM2

    STL13N60DM2

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN5X6

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • STL13N60DM2
    STL13N60DM2

    STL13N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STL13N60DM2IC
    STL13N60DM2IC

    STL13N60DM2IC

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人：許先生

    電話：18898761413

    地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • ST/意法

  • N/A

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 品質(zhì)保障 可開(kāi)13點(diǎn)發(fā)票

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
STL13N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類(lèi)型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 8A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 370 毫歐 @ 4A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 19nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 730pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?（5x6）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL13N60DM2 技術(shù)參數(shù)
  • STL13DP10F6 功能描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:864pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL135N8F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 130A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:103nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 40V 功率 - 最大值:135W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL130N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6340pF @ 40V 功率 - 最大值:135W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL12P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL150N3LLH6 STL15DN4F5 STL15N3LLH5 STL15N60M2-EP STL15N65M5 STL-1-600-3-01 STL-1-600-8-01 STL160N3LLH6 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2 STL16N65M2 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01 STL17N3LLH6 STL17N65M5
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