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現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生 13360533550
電話(huà)：0755-83289799
地址：深圳市福田區(qū)深南中路漢國(guó)城市商業(yè)中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
53951
ST(意法)
22+
-
原裝原廠(chǎng)現(xiàn)貨

STL135N8F7AG
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話(huà)：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET N-CH 80V 130A

STL135N8F7AG
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話(huà)：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
19400
ST/實(shí)單來(lái)
DFN5060
2022+
-
原裝正品，公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十，電話(huà)：0...

STL135N8F7AG
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話(huà)：0755-88608801多線(xiàn)17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
240000
-

STL135N8F7AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠(chǎng)封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話(huà)010-62...

STL135N8F7AG
深圳市鵬展勝電子有限公司
深圳市鵬展勝電子有限公司
聯(lián)系人：林先生
電話(huà)：135-3814-2003
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2779
ST(意法)
原裝正品
23/24+
-
只做原裝正品假一賠十現(xiàn)貨

STL135N8F7AG
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話(huà)：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6006
ST/意法半導(dǎo)體
PowerFLAT-5x6-8
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開(kāi)增值稅發(fā)票

STL135N8F7AG
深圳市暢洲科技有限公司
深圳市暢洲科技有限公司
聯(lián)系人：吳小姐
電話(huà)：852906044930755-82762262
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號(hào)都會(huì)軒2506
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
ST(意法)
8-PowerVDFN
22+
-
全新原裝正品

STL135N8F7AG
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話(huà)：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

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功能描述
MOSFET N-CH 80V 130A
制造商
stmicroelectronics
系列
汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F7
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類(lèi)型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
130A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
3.6 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
103nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
6800pF @ 40V
功率 - 最大值
135W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

STL135N8F7AG 技術(shù)參數(shù)

STL130N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6340pF @ 40V 功率 - 最大值:135W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL12P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL12N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:530 毫歐 @ 4.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:644pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL12N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL-1-450-8-01 STL150N3LLH5 STL150N3LLH6 STL15DN4F5 STL15N3LLH5 STL15N60M2-EP STL15N65M5 STL-1-600-3-01 STL-1-600-8-01 STL160N3LLH6 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2 STL16N65M2 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01

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