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STFW40N60M2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STFW40N60M2
    STFW40N60M2

    STFW40N60M2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6008

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-3PF-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STFW40N60M2
    STFW40N60M2

    STFW40N60M2

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1165

  • STMICROEL

  • 管件

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
STFW40N60M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? II Plus
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 34A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 88 毫歐 @ 17A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 57nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 2500pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 63W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-3P-3 整包
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-3PF
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
STFW40N60M2 技術(shù)參數(shù)
  • STFW3N170 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 歐姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW3N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:939pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 750mA， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3PF 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STG009PC2DX012Q STG009SC2DNC70N STG015M5CN STG015M5LQ STG015M6DQ STG015M6KN STG015M6SN STG015PC2DCC05N STG015PC2DCC05Q STG02511378PCN STG025L2AQ STG025M5 STG025M5CN STG025M6CN STG025PC2DNC70N STG025PC2DT036N STG025PC3DC012N STG025SC2DNC70N
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